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AgGaS2 and AgGaSe2(硫稼银、硒稼银 ):
基本性能:  
1. 物理性能  
化学式 AgGaS2 AgGaSe2
晶体结构 四角晶体 42m, 四角晶体 42m,
晶格常数 756, c=10.3050 a=5.992, c=10.8863
熔点 1002 860
密度 (g/cm3) 4.702 5.700
吸收系数( cm-1)
@1.064μm 0.01 <0.05
@10.6μm 0.6 <0.02
电阻率 >1012 --
介电常数
ε11s /ε0@25MHz 10 10.5
ε33s /ε0@25MHz 14 12.0
热涨系数
(10-6/℃) ∥C +12.5 +16.8
⊥C -13.2 -7.8
导热率Thermal conductivity (W/cm/℃) 0.015 --
2.线型光学性能  
化学式 AgGaS2 AgGaSe2
透光范围 ( nm) 0.50-13.2 0.78-18.0
折射率 no ne no ne
@ 1.064 μm 2.4521 2.3990 2.7010 2.6792
@ 5.300 μm 2.3945 2.3408 2.6134 2.5808
@ 10.60 μm 2.3472 2.2934 2.5912 2.5579
波长 @ no=ne (μm) 0.4974 0.811
热/光学系数:

dno /dt(10-5/ ℃ )

15.4 ~15
dne/dt(10-5/ ℃ ) 15.5 ~15
方程:
AgGaS2
no2( λ )=3.3970+2.3982/(1-0.09311/ λ2)+2.1640/(1-950/ λ2) ( λ in μm)
ne2 ( λ )=3.5873+1.9533/(1-0.11066/ λ2)+2.3391/(1-1030.7/ λ2)
AgGaSe2
no2 ( λ )=4.6453+2.2057/(1-0.1879/ λ2 )+1.8577/(1-1600/ λ2 ) ( λ in μm)
ne2( λ )=5.2912+1.3970/(1-0.2845/ λ2)+1.9282/(1-1600/ λ2)
3. 非线型光学性能  
晶体 AgGaS2 AgGaSe 2
相匹配SHG输出范围(μm) 1.8-11.2 3.1-12.8
非线型光学易感性d 36(pm/V) SHG@10.64μm 18 58
线型光电:
γ 41T 4.0±0.2 4.5@1.15μm
γ63T 3.0±0.1 3.9@1.15μm
损失阔值 (MW/cm 2 )
@~10ns, 1.064 μm 25, surface 20-30, surface
@~10ns, 10.6 μm > 500


                  



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2002.6